載體芯片（Chip on Carrier）通過與客戶的密切合作，Albis開發了復雜的裝配解決方案，可滿足對準精度、帶寬和布局復雜性方面的嚴格要求。Albis雪崩和pin光電二極管產品組合現在可以作為倒裝芯片安裝或引線鍵合器件在定制的2D或3D（環繞式）載體上提供。
PS-系列 ： p-i-n Photodiodes - Chip on Carrier
APS系列： APD - Chip on Carrier
品 牌： Albisopto
光電二極管芯片COC （ Chip on Carrier）
通過與客戶的密切合作，Albis開發了復雜的裝配解決方案，可滿足對準精度、帶寬和布局復雜性方面的嚴格要求。Albis雪崩和pin光電二極管產品組合現在可以作為倒裝芯片安裝或引線鍵合器件在定制的2D或3D（環繞式）載體上提供。
PIN光電二極管芯片COC （ Chip on Carrier）
集成透鏡的112 Gbaud光電二極管芯片|PS60X1
PS60X1是一個112 Gbaud光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。
帶有集成背面透鏡的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管結構針對112 Gbd PAM-4（400GbE和800GbE）單模電信、微波光子鏈路、光纖射頻以及測試和測量應用進行了優化。 它在1260至1620 nm的波長范圍內提供出色的響應度和高速響應。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。
集成鏡頭的56 Gbaud光電二極管 | PS40X1
PS40X1是一個56 Gbaud光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。
帶有集成背面透鏡的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管結構針對56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）單模電信、微波光子鏈路、光纖射頻以及測試和測量應用進行了優化。 它在1260至1620 nm的波長范圍內提供出色的響應度和高速響應。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。
集成透鏡的400G光電二極管陣列 | PS40X4
多個56 Gbaud光電二極管芯片（多通道56 Gbaud光電二極管芯片）倒裝焊接到金屬化陶瓷載體上的組裝，具有共面G-S-G接觸布局和750 μm的通道間距。 所有光電二極管都以高精度定位。
底部照明InGaAs引腳光電二極管結構與集成背側透鏡針對高達56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）單模電信、微波光子鏈路、光纖射頻以及測試和測量應用進行了優化.它在1260至1620 nm的波長范圍內提供出色的響應度和高速響應。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。
集成透鏡的28 Gb/s光電二極管芯片| PS20X1
PS20X1是一個28 Gb/s光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。
帶有集成背面透鏡的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管結構針對高達28 Gb/s的數據和電信應用進行了優化，并在1260至1620 nm的波長范圍內提供了出色的響應度和高速響應。 光電二極管具有低電容并在低偏置電壓下實現全速。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。
集成透鏡28 Gb/s光電二極管陣列 | PS20Xn
PS20Xn是多個PD20X1光電二極管芯片的組件，倒裝芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。 所有光電二極管都相對于對準特征進行了高精度定位，以保證±10 μm的芯片到芯片對準。
PD20X1是一款InGaAs/InP超高速光電二極管芯片，帶有集成背面透鏡。 底部照明p-i-n光電二極管結構針對高達28 Gb/s的數據和電信應用進行了優化，并在1260至1620 nm的波長范圍內提供出色的響應度和高速響應。 光電二極管具有低電容并在低偏置電壓下實現全速。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。
8 Gb/s光電二極管芯片| PS05F1
PS05F1是安裝在陶瓷載體上的單個環繞式托架上 PD10F1光電二極管芯片的組件，帶有用于陽極和陰極連接的環繞式金屬焊盤。
PD10F1是一款InGaAs/InP高速光電二極管芯片，具有雙焊盤布局和大光學孔徑。 頂部照明光電二極管針對高達12 Gb/s的單模數據和電信應用進行了優化，并在1260至1620 nm的波長范圍內提供出色的響應度和高速響應。 在整個波長范圍內，增透膜具有低反射率和高回波損耗。 光電二極管經過優化，可在大有源面積和低電容之間實現最佳平衡，并在低偏置電壓下實現全速。
4通道倒裝芯片焊接監控光電二極管陣列 |PS05J4
四個InGaAs/InP底部照明光電二極管芯片的單片陣列，具有以標準250 μm間距分隔的大光學孔徑。 底部照明p-i-n光電二極管結構針對高達2.5 Gb/s的數據和電信中的低速監控應用進行了優化。 它們在1260至1620 nm的波長范圍內提供出色的響應度和高速響應。
底部照明的4通道光電二極管陣列倒裝焊接在具有環繞金屬化的陶瓷底座上。
8通道倒裝焊接平衡光電二極管陣列 | PS05J8
八個InGaAs/InP底部照明光電二極管的單片陣列，具有120 μm的大光學孔徑，間距為300 μm。 底部照明p-i-n光電二極管結構針對高達2.5 Gb/s的數據和電信中的低速監控應用進行了優化。 它們在1260至1620 nm的波長范圍內提供出色的響應度和高速響應。
底部照明的8通道光電二極管陣列倒裝焊接在具有環繞金屬化的陶瓷底座上。 導線設計用于使用四對光電二極管進行平衡檢測。
APD光電二極管芯片COC（ Chip on Carrier）
集成透鏡28 Gb/s雪崩光電二極管芯片| APD20D1
APD20D1是底部照明的28 Gb/s雪崩光電二極管(APD)芯片，帶有集成背面透鏡。 這種創新的APD提供低噪聲倍增和高增益帶寬產品，可實現高靈敏度28G接收器的設計。 典型應用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。
APD倒裝焊接在金屬化陶瓷載體上，具有共面GSG或Y形接觸焊盤布局。 大焊盤允許放置多個鍵。
集成透鏡的25 Gb/s雪崩光電二極管芯片|APD20B1/C1
底部照明的25 Gb/s雪崩光電二極管(APD)芯片，集成背面透鏡安裝在陶瓷載體上。 這種創新的APD提供低噪聲倍增和高增益帶寬產品，可實現高靈敏度25G接收器的設計。 典型應用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。
APD倒裝焊接在金屬化陶瓷基板上，具有T形、共面GSG或Y形觸點布局。 大焊盤允許放置多個鍵。
| p-i-n Photodiodes - Chip on Carrier | ||||
| Product | Speed | Channels | Carrier Type | 產品資料 |
| PS60X1 | 112 Gbaud | 1 | ceramic submount | 聯系波弗光電 |
| PS40X1 | 56 Gbaud | 1 | ceramic submount | 聯系波弗光電 |
| PS40X4 | 56 Gbaud | multiple | ceramic submount | 聯系波弗光電 |
| PS20X1 | 28 Gb/s | 1 | ceramic submount | 聯系波弗光電 |
| PS20Xn | 28 Gb/s | multiple | ceramic submount | 聯系波弗光電 |
| PS05F1 | 10 Gb/s | 1 | wrap-around submount | 聯系波弗光電 |
| PS05J4 | 2.5 Gb/s | 4 | wrap-around submount | 聯系波弗光電 |
| PS05J8 | 2.5 Gb/s | 8 | wrap-around submount | 聯系波弗光電 |
| APD - Chip on Carrier | ||||
| Product | Speed | Channels | Carrier Type | 產品資料 |
| APS20D1 | 28 Gb/s | 1 | ceramic submount | 聯系波弗光電 |
| APS20B1/C1 | 25 Gb/s | 1 | ceramic submount | 聯系波弗光電 |
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